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国家重点研发计划“垂直沟道铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器（DRAM）技术研究”

  • 项目来源： 国家重点研发计划
  • 结项日期： 2025-10-01
  • 开始日期： 2022-11-01

下一条：国家重点研发计划“IGZO 垂直沟道器件特性和物理模型研究”

访问量：次 开通时间：-- 最后更新时间：--

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