Toward High-Peak-to-Valley-Ratio Graphene Resonant Tunneling Diodes
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：Nano Letters
论文编号：7A2FF305BB674DA9BEABA493270B7188
卷号：23
期号：17
页面范围：8132
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-09-05
发表时间：2023-09-05
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：英国曼彻斯特大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
入职时间：2019-09-29
职务：教授
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：山东大学软件园校区3B教研楼318
联系方式：3B Academic Building， Software Park Campus, Shandong University, Jinan, Shandong, China
Toward High-Peak-to-Valley-Ratio Graphene Resonant Tunneling Diodes
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：Nano Letters
论文编号：7A2FF305BB674DA9BEABA493270B7188
卷号：23
期号：17
页面范围：8132
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-09-05
发表时间：2023-09-05