Advantage of an InGaN based light emitting diodes with p-InGaN/p- GaN superlattice hole accumulation layer
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发表刊物：Chinese Physics B
全部作者：Zhiwei Ren,Xin Chen,Bijun Zhao,Xingfu Wang,Yian Yin
第一作者：Chao Liu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Shuti Li
卷号：22
页面范围：058502
是否译文：否
发表时间：2013-08-01
发表时间：2013-08-01