Metal-interconnection-free integration of InGaN/GaN light emitting diodes with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
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发表刊物：Applied Physics Letters
全部作者：Yuefei Cai,Xinbo Zou
第一作者：Chao Liu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Kei May Lau
卷号：106
页面范围：181110
是否译文：否
发表时间：2015-08-01
发表时间：2015-08-01