Optimization of a common buffer platform for monolithic integration of InGaN/GaN light emitting diodes and AlGaN/GaN high electron mobility transistors
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发表刊物：Journal of Electronic Materials
全部作者：Yuefei Cai,Huaxing Jiang
第一作者：Chao Liu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Kei May Lau
卷号：45
页面范围：2092
是否译文：否
发表时间：2016-08-01
发表时间：2016-08-01