Monolithic Integration of Enhancement-mode Vertical Driving Transistors on a Standard InGaN/GaN Light Emitting Diode Structure
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发表刊物：Applied Physics Letters
全部作者：Chao Liu,Huaxing Jiang,Xinbo Zou,Anping Zhang
第一作者：Xing Lu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Kei May Lau
卷号：109
页面范围：053504
是否译文：否
发表时间：2016-08-01
发表时间：2016-08-01