Enhancement-Mode Phototransistors Based on β-Ga2O3 Microflakes Fabricated by Focused Ion Beams
发布时间：2024-10-09
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Enhancement-Mode Phototransistors Based on β-Ga2O3 Microflakes Fabricated by Focused Ion Beams
- 发表刊物：
- Advanced Optical Materials
- 第一作者：
- 杨华荣
- 论文编号：
- 1737383334869659649
- 卷号：
- 12
- 期号：
- 9
- 页面范围：
- 1
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-12
- 发布时间：
- 2024-10-09