冯先进 (副教授)

副教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

入职时间:2012-09-01

联系方式:xianjinfeng@sdu.edu.cn

   

个人简介

冯先进,男,生于1981年12月,副教授,博士生导师。有着多年的半导体薄膜材料与器件方面的研究经验,研究内容涉及金属氧化物薄膜材料、场效应晶体管、太阳能电池、肖特基二极管等。主持和承担了相关领域国家和省部级科研项目9项,取得了较多的研究成果,迄今为止在国际知名期刊上发表SCI论文超过70篇,以第一发明人获得授权国家发明专利6项。所指导的多名研究生因科研成果突出曾荣获“山东省优秀硕士学位论文”、“山东大学优秀硕士学位论文”、“山东大学第十一届五四青年科学奖”、“国家奖学金”、“校长奖学金”等荣誉、奖励。


研究方向

半导体薄膜材料与器件,包括氧化物薄膜材料、薄膜晶体管太阳能电池、肖特基二极管等。

 

教育背景:

2003/9 - 2008/6,山东大学,微电子学与固体电子学,博士

1999/9 - 2003/6,山东大学,微电子学,学士

 

工作经历:

2012/9 - 至今,山东大学,副教授/副研究员

2011/4 - 2012/7,美国University of South Florida,博士后研究员

2009/3 - 2010/8,德国Darmstadt University of Technology,博士后研究员

 

荣誉和奖励:

山东省优秀硕士学位论文指导老师

山东大学优秀硕士学位论文指导奖

山东大学优秀本科毕业论文(设计)指导奖

山东大学优秀共产党员

山东大学优秀班主任

 

科研项目:

国家自然科学基金项目、国家重点研发计划、山东省自然科学基金项目、山东省重点研发计划、中国工程物理研究院太赫兹科学技术基金等。

 

部分论文:

1. Effects of Atomic-Layer-Deposition temperature on the properties of Al2O3 insulators and InAlZnO Thin-Film-Transistors with Dual-Active-Layer structure, Applied Surface Science 578, 2022,通讯作者.

2. Fabrication and characterization of high performance InAlZnO Schottky barrier diode and its application in ultraviolet photodetection, Applied Physics Letters 119, 2021, 通讯作者.

3. Room temperature fabricated high performance IAZO thin film transistors with dual-active-layer structure and sputtered Ta2O5 gate insulator, Journal of Alloys and Compounds 862, 2021, 通讯作者.

4. Highly efficient UV-Ozone treatment for IAZO active layer to facilitate the low temperature fabrication of high performance thin film transistors, Ceramics International 46, 2020, 通讯作者.

5. High performance thin film transistors with sputtered In-Al-Zn-O channel and different source/drain electrode, IEEE Electron Device Letters 40, 2019,通讯作者.

6. Impact of sputtering power on amorphous In-Al-Zn-O films and thin film transistors prepared by RF magnetron sputtering, IEEE Transactions on Electron Devices 66, 2019, 通讯作者.

7. Low resistivity phase-pure n-type Cu2O films realized via post-deposition nitrogen plasma treatment, Journal of Alloys and Compounds 769, 2018,通讯作者.

8. Pulsed-laser-deposited, single-crystalline Cu2O films with low resistivity achieved through manipulating the oxygen pressure, Applied Surface Science 435,  2018,通讯作者.

9. Cu2O epitaxial films with domain structures prepared on Y-stabilized ZrO2 substrates by pulsed laser deposition, Ceramics International 43, 2017,通讯作者.

10. Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation, Applied Physics Letters 109, 2016,通讯作者.