Intrinsic anomalous valley Hall effect in single-layer N b3 I8
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所属单位：物理学院
发表刊物：Physical review B
关键字：Energy gap;Magnetic semiconductors;Niobium compounds;Polarization
第一作者：彭瑞
论文编号：1395293403519913985
卷号：102
期号：3
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2020-07-15
发表时间：2020-07-15