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个人信息
胡强强
性别:男
在职信息:不在职

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在职信息:不在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2017-07-03 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

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One-step exfoliation of ultra-smooth beta-Ga2O3 wafers from bulk crystal for photodetectors

发布时间:2019-10-24 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:One-step exfoliation of ultra-smooth beta-Ga2O3 wafers from bulk crystal for photodetectors

发表刊物:CrystEngComm

第一作者:穆文祥

全部作者:贾志泰,尹延如,胡强强,张健,陶绪堂

论文编号:8648C0062E8244E28C65EE0BCA3C40BE

卷号:19

期号:34

页面范围:5122

是否译文:

发表时间:2017-09

发布时间:2019-10-24

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