扫描手机二维码
开通时间：..
最后更新时间：..
赞
个人主页 http://faculty.sdu.edu.cn/hushujun/zh_CN/index.htm
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：Appl. Phys. Lett.
全部作者：田玉峰,梅良模,颜世申,胡树军,陈延学,康仕寿,代由勇,刘国磊
第一作者：田玉峰
论文类型：基础研究
论文编号：lw-186943
卷号：105
页面范围：072404
是否译文：否
发表时间：2014-08-19
上一条： "Double-W-shaped" temperature dependence of emission linewidth in an InGaN/GaN multiple quantum well structure with intense phase separation
下一条： Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction
