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贾志泰
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
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High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
所属单位：
微电子学院
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
全部作者：
陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜,辛公明,贾志泰
第一作者：
杜路路
论文类型：
基础研究
论文编号：
95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
卷号：
40
期号：
3
页面范围：
451
是否译文：
否
发表时间：
2019-03-01
上一条：
Solid-liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap beta-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
下一条：
Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
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