贾志泰
教授
所属院部： 晶体材料研究院
访问次数：次
常压下提拉法生长大尺寸氧化镓单晶的方法
  • 所属单位：
    晶体材料研究所
  • 发明设计人：
    陶绪堂
  • 专利类型：
    发明
  • 申请号：
    2014107781685
  • 发明人数：
    6
  • 是否职务专利：
    否
  • 申请日期：
    2014-12-15
  • 公开日期：
    2017-03-22
  • 授权日期：
    2014-12-15
版权所有   ©山东大学　地址：中国山东省济南市山大南路27号　邮编：250100　
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731　建设维护：山东大学信息化工作办公室