林兆军


Biography


林兆军,山东大学微电子学院,教授,博士生导师。现兼任中国电子学 会半导体与集成技术分会委员、山东省电子学会电子元件与材料专业委员会主任 委员。主要从事 GaN 高频大功率器件和功能模块研究,研究 内容包括:GaN 器件制备、电 学性能、器件建模和功率放大器、开关电源模块性能。到山东大学以来作为项目 负责人,已主持 4 项国家自然科学基金项目,还主持多项省部级项目、军工项目 和横向项目。提出并建立了 GaN 电子器件极化库仑场散射理论,这一理论系统 论述了 GaN 电子器件与极化效应相关的载流子散射机制,完善了 GaN 电子器件 的输运理论,建立了融入极化库仑场散射效应的 GaN 高电子迁移率晶体管速度-电场关系模型,完善了 GaN 高电子迁移率晶体管电流-电压方程。极化库仑场散 射理论说明了 GaN 高电子迁移率晶体管长期以来存在的器件电子速度峰值远小 于 GaN 材料电子速度峰值这一重要问题,表明 GaN 高电子迁移率晶体管沟道电 导调制不仅具有沟道电子密度调制还具有沟道电子速度调制,利用极化库仑场散 射效应可有效抑制 GaN 高电子迁移率晶体管短沟道效应,这些为 GaN 高电子迁 移率晶体管电学性能优化提供重要理论基础。基于极化库仑场散射理论,已建立 优化 GaN 功率放大器线性度的材料和器件结构优化设计规则,并有望为 GaN 功 率放大器和 GaN 开关电源整体性能提升提供材料和器件结构优化设计规则。作 为第一作者和通讯作者发表 SCI 收录论文 60 多篇,其中近 30 篇发表在 Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Trans. Electron Devices.、Scientific Reports 国际重要核心专业期刊,授权 2 项发明专利。

联系方式:linzj@sdu.edu.cn


Education

1994.9 -- 1997.7

中科院半导体所       半导体材料       Doctor

1985.9 -- 1988.7

河北大学       半导体物理与器件       Master's Degree in Engineering

1980.9 -- 1984.7

河北大学       半导体物理与器件       Bachelor's Degree in Science

Professional Experience

2016.4 -- Now

山东大学微电子学院      教授      在职

2003.12 -- 2016.4

山东大学物理学院      教授

2002.3 -- 2003.8

美国俄亥俄州立大学      电子工程系      从事了 AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管的研究工作。

2000.9 -- 2002.2

美国西北大学      量子器件研究中心      开展GaInAs/AlInAs 量子级联激光、GaN 基蓝激光器和发光管研究。

1999.9 -- 2000.8

加拿大McMaster大学      电子工程系      开展 InGaAsP-InP多量子阱激光器的研究工作。

1997.9 -- 1999.9

北京大学微电子所      博士后      从事 GaN 电子器件的研究。

1988.8 -- 1994.8

河北大学电子系      教师