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刘宏
教授
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
次
论文成果
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Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
CrystEngComm
全部作者:
刘宏,桑元华,刘伟,于光伟
第一作者:
刘宏
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-165093
卷号:
16
页面范围:
7598
是否译文:
否
发表时间:
2014-06-20
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