李元山东大学主页平台管理系统--李元的个人主页

当前位置: 李元的个人主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Switching pathway-dependent strain-effects on the ferroelectric properties and structural deformations in orthorhombic HfO2

点击次数：

所属单位：信息科学与工程学院

发表刊物：Journal of applied physics

第一作者：魏巍

论文编号：1539149728186425346

卷号：131

期号：15

字数：3

是否译文：否

发表时间：2022-04-21

上一条： Two-dimensional silicon atomic layer field-effect transistors: Electronic property, metal-semiconductor contact, and device performance

下一条： Tunable electrical contacts in two-dimensional silicon field-effect transistors: The significance of surface engineering

李元 (副教授)