Fabrication and properties of self-standing GaN-based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer in neutral electrolyte
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所属单位：微电子学院
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
全部作者：肖洪地,刘建强,毛宏志,马瑾
第一作者：高庆学
论文类型：基础研究
论文编号：E4F4B06254524F618F65F545768C04A2
卷号： 722
页面范围：767
是否译文：否
发表时间：2017-10-25
发表时间：2017-10-25