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中国未来女科学家入选者，上海市高层次人才，齐鲁青年学者
电子邮箱： jlmeng@sdu.edu.cn
孟佳琳，山东大学集成电路学院研究员（齐鲁青年学者），入选中国未来女科学家计划、上海市高层次人才。发表SCI高水平论文60余篇，其中以第一作者/通讯作者发表30篇，包括Nature Communications，ACS Nano（2篇），Nano Letters（3篇），Nano Energy，InfoMat，Material Horizons，Nano Research，Advanced Electronic Materials，IEEE Electron Device Letters（7篇）等领域内顶尖期刊，申请国家发明专利92项。主持中国未来女科学家计划、国际青年人才基金、上海市科技创新行动计划、中国博士后科学基金特别资助（站前）、中国博士后科学基金面上资助等项目8项，骨干参与国家科技重大专项、国家重点研发计划等项目10余项。主要研究方向：面向人工智能应用的光电感存算一体神经形态器件、神经突触晶体管与人工视网膜、柔性可穿戴电子与人工智能系统。
获中国未来女科学家人才称号（全国仅10人）、Chip 2022年度中国芯片科学十大进展奖、纳米光电材料与半导体器件科学家探索奖、Nature会议最佳论文奖、Wiley中国开放科学高贡献作者奖、先进材料与智能传感器科学创新奖、2022“Rising stars of light”提名奖等多项荣誉。受邀在国内/际会议作报告10余次，担任国际高水平学术期刊The Innovation (IF:32.1)、eScience (IF:42.9)、Chip、Information & Functional Materials、Exploration、JMI、Soft Science、Brain-X、VIEW等10余个期刊青年编委，担任Nature Electronics等40余个期刊审稿人。中国电子学会会员，中国人工智能学会会员，山东电子学会青年科学家工作委员会成员。
山东大学 ，集成电路学院 ，研究员（齐鲁青年学者）
复旦大学 ，微电子学院 ，博士后/助理研究员（合作导师：张卫，院长，长江学者）
复旦大学 ，微电子学院 ，博士（导师：张卫）
| 类别 | 专业 | 简介 | 人数 | 年份 |
|---|---|---|---|---|
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博士生招生 |
微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学 |
本课题组每年计划招收博士研究生1-2名。欢迎微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学等相关专业同学报考。本课题组与香港理工大学、清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、中国科学院等顶尖高校科研院所均有密切合作。 |
2025 |
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硕士生招生 |
微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学 |
本课题组每年计划招收硕士研究生2-3名。欢迎微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学等相关专业同学报考。本课题组与香港理工大学、清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、中国科学院等顶尖高校/科研院所均有密切合作。 |
2025 |
| 名称 | 简介 |
|---|---|
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面向人工智能应用的光电感存算一体神经形态器件 |
随着人工智能的发展，传统的计算架构已无法满足日益增多的信息处理需求，因此开发集信息感知、存储与计算于一体的神经形态器件具有重要意义。 |
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神经突触晶体管与人工视网膜 |
受到人眼的启发，开发具有光感功能的神经突触器件对于实现视觉系统功能至关重要，包括晶体管、忆阻器等新型半导体器件。 |
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柔性可穿戴电子与人工智能系统 |
柔性电子在可穿戴场景和人工智能应用中具有极大的应用潜力，展现出优异的弯折可靠性与灵活便利性，开发具有人工智能计算功能的可穿戴电子意义重大。 |
1. Ionic diffusive nano-memristors with dendritic competition and cooperation functions for ultralow voltage neuromorphic computing. 2024, 18(12), 9150–9159. ACS Nano. IF:18.027 第一作者
2. Reconfigurable Selector-Free All-Optical Controlled Neuromorphic Memristor for In-Memory Sensing and Reservoir Computing. 2024, 18(43), 29715–29723. ACS Nano. IF: 18.027 通讯作者
3. Integrated In-Sensor Computing Optoelectronic Device for Environment-Adaptable Artificial Retina Perception Application. 2022, 22, 1, 81–89. Nano Letters. IF:12.262 第一作者
4. Self-rectifying all-optical modulated optoelectronic multi-states memristor crossbar array for neuromorphic computing. 2024, 24(5): 1667-1672. Nano Letters. IF:12.262 通讯作者
5. Novel Three-Dimensional artificial neural network based on an 8-layer vertical memristor with ultrahigh rectify ratio (>107) and nonlinearity (>105) for neuromorphic computing. 2024, 24(6): 2018-2024. Nano Letters. IF:12.262 通讯作者
6. Self-powered optoelectronic synaptic device for both static and dynamic reservoir computing. 2024, 134, 110574. Nano Energy IF:19.069 通讯作者
7. Energy-efficient flexible photoelectric device with 2D/0D hybrid structure for bio-inspired artificial heterosynapse application. 2021,83, 105815. Nano Energy. IF:19.069 第一作者
8. Flexible Boron Nitride-based Memristor for In-situ Digital and Analogue Neuromorphic Computing Applications. 2021, 8(2), 538-546. Materials Horizons. IF:15.717 第一作者
9. Reconfigurable optoelectronic memristor for in-sensor computing applications. 2021, 89, 106291. Nano Energy IF:19.069 共同一作
10. A high-speed 2D optoelectronic in-memory computing device with 6-bit storage and pattern recognition capabilities. 2022, 15(3): 1-7. Nano Research. IF:10.269 第一作者
11. Organic Heterojunction Synaptic Device with Ultra High Recognition Rate for Neuromorphic Computing. 2024, 17, 5614–5620. Nano Research. IF:10.269 通讯作者
12. Flexible 3D Memristor Array for Binary Storage and Multi-states Neuromorphic Computing Applications. 2021, 3(2): 212-221. Infomat IF:25.405 共同一作
13. Forming-free Flexible Memristor with Multilevel Storage for Neuromorphic Computing by Full PVD Technique. 2020, 60,21-26. Journal of Materials Science & Technology. IF: 10.319 (国内重点科技期刊) 共同一作
14. Li-Ion Doped Artificial Synaptic Memristor for Highly Linear Neuromorphic Computing. 2022, 43 (12), 2069-2072. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）第一作者
15. An Efficient Training Methodology of Hardware Neural Network Based on Wafer-Scale MoS2 Synaptic Array. 2022, 8 (12), 2200909. Advanced Electronic Materials. IF: 7.633 共同一作
16. Two-Terminal Photoelectric Dual Modulation Synaptic Devices for Face Recognition. 2022, 44 (2), 241-244. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
17. Room-Temperature Developed Flexible Biomemristor with Ultralow Switching Voltage for Array Learning. 2020, 12(16), 9116-9123. Nanoscale. IF: 6.895 共同一作
18. Photonic Synapses for Image Recognition and High Density Integration of Simplified Artificial Neural Networks. 2023, 9(6), 2300120. Advanced Electronic Materials. IF: 7.633 通讯作者
19. Fiber-Shaped Cu-Ion Diffusive Memristor for Neuromorphic Computing. 2023, 44(7), 1220-1223. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）第一作者
20. Flexible Organic Optoelectronic Devices for Neuromorphic Computing. 2023, 44(7), 1100-1103. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
21. Fully Light Modulated Self-Powered Optoelectronic Memristor for Neuromorphic Computing. 2023, 44(10), 1784-1787. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
22. Photoelectric Synaptic Device Based on Bi-layered OR/OP-InGaZnO for Neuromorphic Computing. 2024, 45(1), 120-123. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
23. Flexible Inverter Based on Ambipolar OFETs Compatible with Finite Element Analysis. 2025, Accept. IEEE Transactions on Electron Devices. （微电子领域权威期刊） 通讯作者
24. InGaZnO-based Photoelectric Synaptic Devices for Neuromorphic Computing. 2024, 45 092402. Journal of Semiconductors. IF: 4.8（半导体领域权威期刊） 通讯作者
25. Flexible biomimetic olfactory neurons based on organic heterojunction. 2024, doi: 10.1088/1674-4926/24090003. Journal of Semiconductors. IF: 4.8（半导体领域权威期刊） 通讯作者
