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中国未来女科学家入选者，上海市高层次人才，齐鲁青年学者
电子邮箱： jlmeng@sdu.edu.cn
孟佳琳，山东大学集成电路学院研究员（齐鲁青年学者），入选中国未来女科学家计划、上海市高层次人才。发表SCI高水平论文60余篇，其中以第一作者/通讯作者发表30篇，包括Nature Communications，ACS Nano（2篇），Nano Letters（3篇），Nano Energy，InfoMat，Material Horizons，Nano Research，Advanced Electronic Materials，IEEE Electron Device Letters（7篇）等领域内顶尖期刊，申请国家发明专利92项。主持中国未来女科学家计划、国际青年人才基金、上海市科技创新行动计划、中国博士后科学基金特别资助（站前）、中国博士后科学基金面上资助等项目8项，骨干参与国家科技重大专项、国家重点研发计划等项目10余项。主要研究方向：面向人工智能应用的光电感存算一体神经形态器件、神经突触晶体管与人工视网膜、柔性可穿戴电子与人工智能系统。
获中国未来女科学家人才称号（全国仅10人）、Chip 2022年度中国芯片科学十大进展奖、纳米光电材料与半导体器件科学家探索奖、Nature会议最佳论文奖、Wiley中国开放科学高贡献作者奖、先进材料与智能传感器科学创新奖、2022“Rising stars of light”提名奖等多项荣誉。受邀在国内/际会议作报告10余次，担任国际高水平学术期刊The Innovation (IF:32.1)、eScience (IF:42.9)、Chip、Information & Functional Materials、Exploration、JMI、Soft Science、Brain-X、VIEW等10余个期刊青年编委，担任Nature Electronics等40余个期刊审稿人。中国电子学会会员，中国人工智能学会会员，山东电子学会青年科学家工作委员会成员。
山东大学 ，集成电路学院 ，研究员（齐鲁青年学者）
复旦大学 ，微电子学院 ，博士后/助理研究员（合作导师：张卫，院长，长江学者）
复旦大学 ，微电子学院 ，博士（导师：张卫）
| 类别 | 专业 | 简介 | 人数 | 年份 |
|---|---|---|---|---|
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博士生招生 |
微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学 |
本课题组每年计划招收博士研究生1-2名。欢迎微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学等相关专业同学报考。本课题组与香港理工大学、清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、中国科学院等顶尖高校科研院所均有密切合作。 |
2025 |
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硕士生招生 |
微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学 |
本课题组每年计划招收硕士研究生2-3名。欢迎微电子、集成电路工程、信息、物理、材料、化学等相关专业同学报考。本课题组与香港理工大学、清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、中国科学院等顶尖高校/科研院所均有密切合作。 |
2025 |
| 名称 | 简介 |
|---|---|
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面向人工智能应用的光电感存算一体神经形态器件 |
随着人工智能的发展，传统的计算架构已无法满足日益增多的信息处理需求，因此开发集信息感知、存储与计算于一体的神经形态器件具有重要意义。 |
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晶体管、类脑计算与视觉系统 |
受到人眼的启发，开发具有光感功能的类脑计算器件对于实现视觉系统功能至关重要，包括晶体管、忆阻器等新型半导体器件。 |
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柔性可穿戴电子与人工智能系统 |
柔性电子在可穿戴场景和人工智能应用中具有极大的应用潜力，展现出优异的弯折可靠性与灵活便利性，开发具有人工智能计算功能的可穿戴电子意义重大。 |
1. Ionic diffusive nano-memristors with dendritic competition and cooperation functions for ultralow voltage neuromorphic computing. 2024, 18(12), 9150–9159. ACS Nano. IF:18.027 第一作者
2. Reconfigurable Selector-Free All-Optical Controlled Neuromorphic Memristor for In-Memory Sensing and Reservoir Computing. 2024, 18(43), 29715–29723. ACS Nano. IF: 18.027 通讯作者
3. Integrated In-Sensor Computing Optoelectronic Device for Environment-Adaptable Artificial Retina Perception Application. 2022, 22, 1, 81–89. Nano Letters. IF:12.262 第一作者
4. Self-rectifying all-optical modulated optoelectronic multi-states memristor crossbar array for neuromorphic computing. 2024, 24(5): 1667-1672. Nano Letters. IF:12.262 通讯作者
5. Novel Three-Dimensional artificial neural network based on an 8-layer vertical memristor with ultrahigh rectify ratio (>107) and nonlinearity (>105) for neuromorphic computing. 2024, 24(6): 2018-2024. Nano Letters. IF:12.262 通讯作者
6. Self-powered optoelectronic synaptic device for both static and dynamic reservoir computing. 2024, 134, 110574. Nano Energy IF:19.069 通讯作者
7. Energy-efficient flexible photoelectric device with 2D/0D hybrid structure for bio-inspired artificial heterosynapse application. 2021,83, 105815. Nano Energy. IF:19.069 第一作者
8. Flexible Boron Nitride-based Memristor for In-situ Digital and Analogue Neuromorphic Computing Applications. 2021, 8(2), 538-546. Materials Horizons. IF:15.717 第一作者
9. Reconfigurable optoelectronic memristor for in-sensor computing applications. 2021, 89, 106291. Nano Energy IF:19.069 共同一作
10. A high-speed 2D optoelectronic in-memory computing device with 6-bit storage and pattern recognition capabilities. 2022, 15(3): 1-7. Nano Research. IF:10.269 第一作者
11. Organic Heterojunction Synaptic Device with Ultra High Recognition Rate for Neuromorphic Computing. 2024, 17, 5614–5620. Nano Research. IF:10.269 通讯作者
12. Flexible 3D Memristor Array for Binary Storage and Multi-states Neuromorphic Computing Applications. 2021, 3(2): 212-221. Infomat IF:25.405 共同一作
13. Forming-free Flexible Memristor with Multilevel Storage for Neuromorphic Computing by Full PVD Technique. 2020, 60,21-26. Journal of Materials Science & Technology. IF: 10.319 (国内重点科技期刊) 共同一作
14. Li-Ion Doped Artificial Synaptic Memristor for Highly Linear Neuromorphic Computing. 2022, 43 (12), 2069-2072. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）第一作者
15. An Efficient Training Methodology of Hardware Neural Network Based on Wafer-Scale MoS2 Synaptic Array. 2022, 8 (12), 2200909. Advanced Electronic Materials. IF: 7.633 共同一作
16. Two-Terminal Photoelectric Dual Modulation Synaptic Devices for Face Recognition. 2022, 44 (2), 241-244. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
17. Room-Temperature Developed Flexible Biomemristor with Ultralow Switching Voltage for Array Learning. 2020, 12(16), 9116-9123. Nanoscale. IF: 6.895 共同一作
18. Photonic Synapses for Image Recognition and High Density Integration of Simplified Artificial Neural Networks. 2023, 9(6), 2300120. Advanced Electronic Materials. IF: 7.633 通讯作者
19. Fiber-Shaped Cu-Ion Diffusive Memristor for Neuromorphic Computing. 2023, 44(7), 1220-1223. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）第一作者
20. Flexible Organic Optoelectronic Devices for Neuromorphic Computing. 2023, 44(7), 1100-1103. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
21. Fully Light Modulated Self-Powered Optoelectronic Memristor for Neuromorphic Computing. 2023, 44(10), 1784-1787. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
22. Photoelectric Synaptic Device Based on Bi-layered OR/OP-InGaZnO for Neuromorphic Computing. 2024, 45(1), 120-123. IEEE Electron Device Letters. IF: 4.816 （微电子领域权威期刊）通讯作者
23. Flexible Inverter Based on Ambipolar OFETs Compatible with Finite Element Analysis. 2025, Accept. IEEE Transactions on Electron Devices. （微电子领域权威期刊） 通讯作者
24. InGaZnO-based Photoelectric Synaptic Devices for Neuromorphic Computing. 2024, 45 092402. Journal of Semiconductors. IF: 4.8（半导体领域权威期刊） 通讯作者
25. Flexible biomimetic olfactory neurons based on organic heterojunction. 2024, doi: 10.1088/1674-4926/24090003. Journal of Semiconductors. IF: 4.8（半导体领域权威期刊） 通讯作者
1. 一种基于半导体异质结的光电存算一体器件及其制备方法CN202410974695.7
2. 一种感存算一体化神经形态器件及其制备方法CN202410974674.5
3. 一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法 CN202410974683.4
4. 一种柔性2T0C-DRAM及其制备方法 CN202410974688.7
5. 一种用于模拟信号处理的储备池计算方法及其系统 CN202410974680.0
6. 一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法CN202211603584.2
7. 一种异质结自供电突触器件及其制备方法 CN202410974707.6
8. 一种多模态感存算一体类脑芯片及其制备方法 CN202410974677.9
9. 一种全光学调控电导的神经形态忆阻器及其制备方法 CN202410974682.X
10. 一种异质结感存算器件及其制备方法 CN202311748784.1
11. 一种异质增强型人工视网膜忆阻器件及其制备方法 CN202311748786.0
12. 一种光子忆阻器件及其制备方法 CN202311625607.4
13. 一种神经突触器件及其制备方法 CN202311625601.7
14. 一种光子突触器件及其制备方法CN202311625610.6
15. 一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法 CN202211603896.3
16. 一种氨气检测的柔性有机晶体管阵列及其制备方法 CN202410974693.8
17. 一种柔性感存算一体存储器及其制备方法 CN202211603880.2
18. 一种同质结型感存算集成器件及其制备方法 CN202211603603.1
19. 一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法CN202211489471.4
20. 一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法 CN202211489475.2
21. 一种柔性神经视网膜器件及其制备方法 CN202211489550.5
22. 一种低功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法 CN202211112665.2
23. 一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法 CN202211112676.0
24. 一种全局栅和局域栅协同调控的神经突触器件及其制备方法 CN202210930942.4
25. 基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器及其制备方法 CN202210920080.7
26. 一种光电双调制的柔性相变忆阻器及其制备方法 CN202210902930.0
27. 一种低维感存算一体化器件及其制备方法CN202210896284.1
28. 一种柔性存算一体忆阻器及其制备方法CN202210780823.5
29. 一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法 CN202210609538.7
30. 一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法CN202111270357.8
