所属单位：物理学院

论文名称：Toward High Bias-Stress Stability P-Type GaSb Nanowire Field-Effect-Transistor for Gate-Controlled Near-Infrared Photodetection and Photocommunication

发表刊物：Advanced functional materials

论文编号：314C533916B0444396DED0A623634621

期号：2304064

字数：4

是否译文：否

发表时间：2023-05-25