王金岩

副教授

Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment

• 所属单位：
  土建与水利学院
• 发表刊物：
  《城市问题》
• 第一作者：
  沈中健
• 论文编号：
  B52072541B8548A1AF7D8AB029AFE03F
• 期号：
  11
• 字数：
  9
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2022-11-27