扫描手机二维码

欢迎您的访问
您是第 位访客

开通时间:..

最后更新时间:..

  • 尹延学

    个人主页 http://faculty.sdu.edu.cn/yinyanxue/zh_CN/index.htm

论文成果 当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果
Toward High Bias-Stress Stability P-Type GaSb Nanowire Field-Effect-Transistor for Gate-Controlled Near-Infrared Photodetection and Photocommunication

点击次数:
所属单位:物理学院
发表刊物:Advanced functional materials
论文编号:314C533916B0444396DED0A623634621
期号:2304064
字数:4
是否译文:否
发表时间:2023-05-25

 

版权所有   ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室