所属单位：晶体材料研究院

论文名称：From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors

发表刊物：材料化学期刊C

全部作者：张雷,郝霄鹏,邵永亮,吴拥中,王守志,廉刚,张保国

第一作者：俞瑞仙

论文类型：基础研究

论文编号：73E433DC413F481BA7C1BC2C13E1671D

卷号：7

期号：45

页面范围：14116

是否译文：否

发表时间：2019-12-07