张雷
正高级教师
所属院部: 晶体材料研究院
访问次数:
基本信息
  • 教师拼音名称:
    zhanglei
  • 入职时间:
    2012-06-01
  • 所在单位:
    晶体材料国家重点实验室、新一代半导体材料研究院
  • 学历:
    研究生(博士)毕业
  • 办公地点:
    新一代半导体材料研究院
  • 性别:
  • 联系方式:
    leizhang528@sdu.edu.cn
  • 学位:
    博士生
  • 在职信息:
    在职
  • 博士生导师
  • 硕士生导师
曾获荣誉:

2016-01-06    中国建筑材料科学技术奖;
教师简介

张雷,长聘研究员, 博士生导师,山东省泰山学者青年专家。2016-2018年期间在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事访问学者研究。

主要从事氮化物(氮化镓、氮化铝)宽禁带半导体晶体材料的生长及性能研究工作。目前担任氮化物半导体晶体研究方向负责人(PI)。研制了具有自主知识产权的氢化物气相外延(HVPEGaN单晶生长装备和物理气相沉积法(PVTAlN单晶生长装备,系统研究了GaNAlN晶体的生长机理,围绕应力及开裂、衬底分离难题,提出了二维位错阻断层、多孔衬底技术等解决方案,攻克了大尺寸GaNAlN晶体生长关键技术,晶体质量步入国际先进行列。主持和参加了国家重点研发计划、863、国家自然科学基金、德国亥姆霍兹国家实验室资助、山东省重点研发计划等10余项国家及省部级项目。在Adv. Mater., Adv. Sci., J. Mater. Chem. A, Cryst. Growth Des.等期刊发表SCI论文70余篇,发表的文章被Nature Materials期刊作为研究亮点(Research Highlights)进行了报道。获授权发明专利20余项,其中4项实现了成果转化。2016年获中国建筑材料科学技术基础研究类二等奖。目前担任国际期刊《Scientific Reports》编委和《Materials》期刊客座编辑。



教育经历
  • 2001-9 — 2005-7
    齐鲁工业大学
    无机非金属材料工程
    学士
  • 2005-9 — 2008-7
    齐鲁工业大学
    无机非金属材料工程
    工学硕士学位
  • 2008-9 — 2011-12
    山东大学
    材料学
    博士生
工作经历
  • 2012-06 — 2016-02
    山东大学晶体材料国家重点实验室
  • 2016-04 — 2018-04
    德国亥姆霍兹于利希研究中心固态物理研究所
  • 2016-03-至今
    山东大学晶体材料国家重点实验室
科研成果
论文

1.  Sha, Shiyu. Silicon Carbide Nanowire Based Integrated Electrode for High Temperature Supercapacitors.  Materials,  17,  2024. 

2.  曹文豪. Suitable AlN Source Shape for Optimizing Gas Mass Transfer During AlN Crystal Growth.  CRYSTAL GROWTH & DESIGN,  2024. 

3.  齐占国. Progress in GaN Single Crystals: HVPE Growth and Doping.  Journal of Inorganic Materials,  38,  243, 2023. 

4.  李秋波. Efficient access to non-damaging GaN (0001) by inductively coupled plasma etching and chemical–mechanical polishing.  Applied Surface Science,  2024. 

5.  吕松阳. Gallium Nitride Based Electrodefor High-Temperature Supercapacitor.  Advanced Science,  10,  2023. 

6.  Cao, Wenhao. Effect of Air Layer Thickness on AlN Crystal Growth by the PVT Method.  CRYSTAL GROWTH & DESIGN,  2024. 

7.  Cao, Wenhao. Optical properties of conductive and semi-insulating HVPE-GaN crystals.  CrystEngComm,  2024. 

8.  孙德福. Research Progress in Liquid Phase Growth of GaN Crystals.  chemistry-a European journal,  2024. 

9.  Wang, Benfa. Studying the effect of temperature and pressure on GaN crystals via the Na-flux method.  CrystEngComm,  26,  3176-3184, 2024. 

10.  Wang, Benfa. Research Progress on the Growth of GaN Single Crystal by Sodium Flux Method 基于钠助熔剂法的 GaN 单晶生长研究进展.  《人工晶体学报》,  52,  183-195, 2023. 

11.  Liang, Chang. Novel semiconductor materials for advanced supercapacitors.  Journal of Materials Chemistry C,  11,  4288-4317, 2023. 

12.  Li, Qiubo. Research progress in the postprocessing and application of GaN crystal.  CrystEngComm,  25,  715-725, 2023. 

13.  曹文豪. Investigation of the optical properties of conductive and semi-insulating HVPE-GaN crystals.  CrystEngComm,  2024. 

14.  Fei, Tianhao. Temperature-sensitive hybridization of propagating and localized surface phonon polaritons in polar 4H-SiC nano-resonators.  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,  132,  2022. 

15.  费天皓. Temperature-dependent infrared dielectric functions and hybrid phonon-polaritons in wurtzite GaN: A spectroscopic ellipsometry and multiscale simulation study.  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,  2022. 

16.  吕松阳. Vacancy-modified few-layered GaN crystal for novel high-temperature energy storage.  J. Mater. Chem. A.,  22007, 2022. 

17.  李秋波. A perovskite/porous GaN crystal hybrid structure for ultrahigh sensitivity ultraviolet photodetectors.  Journal of Materials Chemistry C,  10,  8321-8328, 2022. 

18.  王守志. Construction of Novel Bimetallic Oxyphosphide as Advanced Anode for Potassium Ion Hybrid Capacitor.  Advanced Science,  2105193, 2022. 

19.  费天皓. Temperature-dependent infrared dielectric functions and hybrid phonon-polaritons in wurtzite GaN: A spectroscopic ellipsometry and multiscale simulation study.  Journal of Applied Physics,  131,  2022. 

20.  刘磊. Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates.  CRYSTENGCOMM,  24,  1840, 2022. 

21.  王忠新. Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications.  JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C,  17201, 2021. 

22.  刘磊. Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN.  CRYSTENGCOMM,  23,  7245, 2021. 

23.  俞瑞仙. Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications.  Journal of Materials Chemistry C,  9,  1852, 2021. 

24.  陈成敏. Numerical Simulation Study on the Front Shape and Thermal Stresses in Growing Multicrystalline Silicon Ingot: Process and Structural Design.  CRYSTALS,  10,  2020. 

25.  王国栋. Growth and Stress Analysis of Spontaneous Nucleationc-Plane Bulk AlN Crystals by a PVT Method.  CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY,  55,  2020. 

26.  俞娇仙. Perovskite CsPbBr3 crystals: growth and applications.  材料化学期刊C,  8,  6326, 2020. 

27.  张雷 , 王守志 , 廉刚  and 俞瑞仙. From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors.  材料化学期刊C,  7,  14116, 2019. 

28.  张雷  and 王国栋. Effect of Temperature Gradient on AlN Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method.  CRYSTAL GROWTH & DESIGN,  19,  6736, 2019. 

29.  王国栋. High-aspect-ratio single-crystalline AlN nanowires: Free-catalytic PVT growth and field-emission studies.  JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS ,  2019. 

30.  王守志. Gallium Nitride Crystals: Novel Supercapacitor Electrode Materials.  ADVANCED MATERIALS ,  3768, 2016. 

31.  张雷. Improving the quality of GaN crystals by using graphene or hexagonal boron nitride nanosheets substrate.  ACS Appl. Mater. Interfaces,  2015. 

专利
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