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Arokia Nathan
教授
所属院部：
信息科学与工程学院
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On a Mott formalism for modeling oxide thin-film transistors
所属单位：
信息科学与工程学院
发表刊物：
APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：
伊光政
论文编号：
3D0DCCE5AB5B460DA99251607B001C83
卷号：
125
期号：
3
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2024-07-15
上一条：
On a Mott formalism for modeling oxide thin-film transistors
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