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An Analytical Device Model for Vertical Channel-All-Around InGaZnO Thin-Film Transistors
发布时间：2025-09-29
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 论文名称：
    An Analytical Device Model for Vertical Channel-All-Around InGaZnO Thin-Film Transistors
  • 发表刊物：
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 第一作者：
    伊光政
  • 论文编号：
    F377D439812142F399EBADF61FABE629
  • 卷号：
    72
  • 期号：
    7
  • 页面范围：
    3790
  • 字数：
    3
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2025-05
  • 发布时间：
    2025-09-29
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