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国家重点研发计划“新型 IGZO垂直沟道器件及三维堆叠DRAM单元的研究”
发布时间:2024-08-17
点击次数:
次
项目名称:
国家重点研发计划“新型 IGZO垂直沟道器件及三维堆叠DRAM单元的研究”
项目来源:
国家重点研发计划
资助额度(万元):
40.0
发布时间:
2024-08-17
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国家重点研发计划“IGZO 垂直沟道器件特性和物理模型研究”
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