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科研项目
国家重点研发计划“IGZO 垂直沟道器件特性和物理模型研究”
项目来源:
国家重点研发计划
结项日期:
2025-10-01
开始日期:
2022-11-01
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国家重点研发计划“垂直沟道铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器(DRAM)技术研究”
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国家重点研发计划“新型 IGZO垂直沟道器件及三维堆叠DRAM单元的研究”