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A unipolar nano-diode detector with improved performance using the high-k material SiNx

发布时间:2022-11-16
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Semiconductor Science and Technology
关键字:
self-switching diode;SiNx;high-k;nano-rectifier;Coatings;Diodes;Electric field effects;Electric rectifiers;Plasma enhanced chemical vapor deposition;Semiconductor switches;Silicon
第一作者:
张翼飞
论文编号:
28AE00F0E7084656AC7130A02B9E9384
卷号:
33
期号:
11
页面范围:
114016
字数:
2000
是否译文:
发表时间:
2018-11-01