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Toward High-Peak-to-Valley-Ratio Graphene Resonant Tunneling Diodes

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：Nano Letters

论文编号：7A2FF305BB674DA9BEABA493270B7188

卷号：23

期号：17

页面范围：8132

字数：5

是否译文：否

发表时间：2023-09-05

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张翼飞 (教授)