专利
一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法
  • 所属单位:
    物理学院
  • 申请专利人:
    颜世申,田玉峰,陈延学,康仕寿,柏利慧
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    201811060648.2
  • 发明人数:
    5
  • 是否职务专利:
  • 公开日期:
    2021-08-20
  • 授权日期:
    2021-08-20

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