GaN-on-Silicon Quasi-Vertical Power MOSFETs
点击次数:
发表刊物:IEEE Electron Device Letters
全部作者:Riyaz Abdul Khadar
论文类型:期刊论文
通讯作者:Chao Liu,Elison Matioli
卷号:39
页面范围:71
是否译文:否
发表时间:2018-08-01
发表时间:2018-08-01
附件:GaN-on-Si vertical MOSFETs.pdf 下载[] 次