820 V GaN-on-Si Quasi-Vertical PiN Diodes with BFOM of 2.0 GW/cm2
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发表刊物:IEEE Electron Device Letters
全部作者:Chao Liu,Liyang Zhang,Peng Xiang,Kai Cheng
第一作者:Riyaz A Khadar
论文类型:期刊论文
通讯作者:Elison Matioli
卷号:39
页面范围:401
是否译文:否
发表时间:2018-08-01
发表时间:2018-08-01
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