Low trap states in in-situ SiNx/AlN/GaN metal-insulator-semiconductor structures grown by metal-organic chemical vapor deposition

发布时间:2019-11-05
点击次数:
发表刊物:
Applied Physics Letters
全部作者:
Jun Ma,Huaxing Jiang,Chao Liu
第一作者:
Xing Lu
论文类型:
期刊论文
通讯作者:
Kei May Lau
卷号:
105
页面范围:
102911
是否译文:
发表时间:
2014-09-01