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课题组每年依托山东大学微电子学院/教育部新一代半导体材料集成攻关研究院/晶体材料国家重点实验室/ZY工程师计划招收1-2名博士研究生, 4-5名硕士研究生, 欢迎有有志于第三代宽禁带半导体器件、功率模块与系统方面研究的同学报考，微电子、电路、物理等相关专业的同学优先。课题组配有完备的器件仿真设计、材料生长、器件加工、以及半导体芯片性能测试设备, 常年招聘博士后, 欢迎有半导体芯片制备及测试或器件建模经验的优秀博士生加入。有意者请将个人简历及代表作发至chao.liu@sdu.edu.cn。
课题组与香港科技大学、香港大学、瑞士洛桑联邦理工学院、苏黎世联邦理工学院、南洋理工大学、英国卡迪夫大学、伦敦大学学院、澳门大学、北京大学、中科院苏州纳米所、中电科十三所、中电科四十六所、南京大学、中山大学、南方科技大学、华南理工大学、华为、海信、圆融光电、晶湛半导体、思坦科技、镭昱光电、镓谷半导体、晶通半导体、远山新材料、BelGaN、IMEC、Osram、II-VI等国内外顶尖高校/科研院所/公司保持着密切联系与合作, 可推荐优秀学生联合培养或进一步深造。
博士招生专业：
集成电路科学与工程（学术型）
微电子学与固体电子学（学术型）
集成电路工程（专业型）
硕士招生专业：
集成电路科学与工程（学术型）
微电子学与固体电子学（学术型）
集成电路工程（专业型）
课题组毕业学生去向:
20年：中科院半导体所读博
21年：中科院技术物理所读博
22年：北京大学读博
23年：香港科技大学读博
北京大学读博
复旦大学读博
复旦微电子工作
浙江大学读博
中科院半导体所读博
24年：香港科技大学读博
长江存储工作
晶晨半导体工作
第三代半导体GaN相关的代表性公司及科研机构：
GaN相关高校及研究机构：
亚洲：香港科技大学、香港大学、新加坡国立大学、新加坡南洋理工大学、东京大学、名古屋大学、名古屋工业大学、京都大学、立命馆大学、台湾交通大学、阿朴杜拉国王科技大学、西安电子科技大学、中科院半导体所、物理所、微电子所、苏州纳米所、北京大学、西安交通大学、中山大学、复旦大学、浙江大学、中国科技大学、大连理工大学、华中科技大学、南方科技大学、上海科技大学、中电集团十三所、五十五所、山东大学等；
美洲：麻省理工学院、斯坦福大学、莱斯大学、加州大学圣巴巴拉分校、加州大学伯克利分校、 加州大学圣地亚哥分校、耶鲁大学、康奈尔大学、密歇根大学、弗吉尼亚理工大学、亚利桑那州立大学、伦斯勒理工大学、佐治亚理工学院、威斯康星麦迪逊分校、圣地亚国家实验室、麦吉尔大学、莱斯大学、爱荷华州立大学等；
欧洲：瑞士洛桑联邦理工学院、柏林工业大学、慕尼黑工业大学、亚琛工业大学、布伦瑞克工业大学、乌尔姆大学、玛德格堡大学、剑桥大学、谢菲尔德大学、卡迪夫大学、格拉斯哥大学、鲁汶大学、法国国家科学院、IMEC等；
澳洲：澳洲国立大学、悉尼大学等；
GaN相关公司：
国内：华为、海思半导体、中国电科、航天科工、航天科技、国家电网、中国中车、英诺塞克、三安集成、中兴微电子、苏州纳维、苏州能讯、苏州晶湛、大连芯冠、青岛聚能晶圆、上海中微、山东远方新材料、山东华光、圆融光电、聚力成半导体、积塔半导体、武汉华灿、东莞中镓、江西晶能、安谱隆半导体、海威华芯、江苏能华、华功半导体、中晶半导体等；
国外：ABB, Osram, Infineon, Panasonic, Mitsubishi, Sumitomo, EPC, Transphorm, Navitas, GaN System, Dialog, IQE, On semiconductor, EpiGaN, X-Fab, Aixtron, Kyma等；
欢迎各位同学索取第三代半导体产业发展报告，了解关于第三代半导体的更多详细内容。
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课题组常年招收青年教师/博士后，欢迎有半导体器件/电路仿真或微纳加工及测试经验的优秀博士加盟，有意者请将个人简历及研究经历陈述发至chao.liu@sdu.edu.cn。
山东大学提供待遇优厚的博士后职位，介绍如下：
A类特别资助类博士后：薪酬待遇：年薪不低于46万；期满考核达到培养要求者可直接转聘相关学科教师岗位，也可参与齐鲁青年学者等人才项目的选拔。
B类重点资助类博士后：薪酬待遇：年薪不低于32万；期满考核达到要求者可根据所在单位岗位招聘计划转聘教师岗位。
C类项目资助类博士后：薪酬待遇：年薪不低于20万；期满考核达到要求者可参加学校教师及其他相关岗位招聘。
工资待遇
（1）特别资助类博士后由学校、学院、联系导师和济南市共同提供46万元/年的工资（其中包括：学校提供30万元/年；按照济南市博士后资助政策提供每人6万元/年；导师提供科研绩效补贴）；
（2）重点资助类博士后由学校、学院、联系导师和济南市共同提供32万元/年的工资（其中包括：学校提供20万元/年；按照济南市博士后资助政策提供每人6万元/年；联系导师提供科研补贴）；
（3）一般资助类博士后由学校、学院、联系导师和济南市共同提供20万元/年的工资（其中包括：学校提供10万元/年；按照济南市博士后资助政策提供每人6万元/年；联系导师提供科研补贴）；
2、课题组提供额外的绩效补助，详情面议；
3、享受国家和山东大学的博士后统一福利待遇基础（山东大学提供博士后公寓，子女入园/学，保险和住房公积金）；
4、支持作为负责人申请国家自然科学基金和博士后基金，为获聘者提供国内外会议及交流访问机会，积极支持个人职业发展，创造良好的科研条件和环境；
5、特别资助类博士后出站考核合格后，可以副研究员的身份入职学院工作；
6、根据济组发[2019]17号文件精神，博士后出站后在济南市企业和科研类事业单位工作并签订3年以上合同的或在济南市创业的，给予25万元留济补贴；
7、济南购房享受15万元优惠政策。
8、 对不超过35岁、软科世界大学学术排名前200位高校、自然指数前100位高校和科研院所博士来鲁创新创业的，直接给予省自然科学基金青年基金等项目支持
9、注意：以上待遇只对新入职统招博士后有效。
支持申报各类博士后基金：
中国博士后科学基金面上资助：特别资助，站前及站中
博士后创新人才支持计划
国家博士后国际交流计划
香江学者计划、澳门青年学者计划、中德博士后交流项目
山东大学特别资助类博士后
山东省博士后创新项目(引进项目、学术交流项目)
应聘条件：
1、责任心强、具有良好的教育背景和系统的科研训练，博士期间从事半导体器件相关方向研究。
2、获得（或短期内可获得）国内外博士学位3年以内，年龄35周岁以下，有志于长期从事科研工作，具备独立开展研究工作的能力，具有创新意识和团队协作精神。
3、近五年发表半导体材料及器件领域高水平论文3篇及以上（IEEE EDL, TED, APL, OL, OE, IEDM, ISPSD等主流期刊优先），有突出的英文写作与交流能力。