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陈镜
助理研究员
所属院部:
海洋研究院
访问次数:
次
论文成果
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Polarized Tunneling Transistor for Ultralow-Energy-Consumption Artificial Synapse toward Neuromorphic Computing
所属单位:
海洋研究院
发表刊物:
ACS nano
第一作者:
陈镜
论文编号:
1747174614530875393
卷号:
18
期号:
1
页面范围:
581-591
字数:
6
是否译文:
否
发表时间:
2023-01-01
上一条:
Performance Limits and Advancements in Single 2D Transition Metal Dichalcogenide Transistor
下一条:
PZT-Enabled MoS2 Floating Gate Transistors: Overcoming Boltzmann Tyranny and Achieving Ultralow Energy Consumption for High-Accuracy Neuromorphic Computing
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