Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In(2)O(3) magnetic semiconductor

发布时间:2019-04-13|点击次数:

所属单位:物理学院

论文名称:Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In(2)O(3) magnetic semiconductor

发表刊物:Journal of applied physics

全部作者:颜世申,刘国磊,梅良模

第一作者:陈延学

论文类型:基础研究

论文编号:lw-107889

卷号:106

期号:4

页面范围:043909-1

是否译文:否

发表时间:2009-08-15