所属单位：物理学院
论文名称：Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In(2)O(3) magnetic semiconductor
发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：陈延学
全部作者：颜世申,刘国磊,梅良模,陈延学
论文编号：lw-107889
卷号：106
期号：4
页面范围：043909-1
是否译文：否
发表时间：2009-08
发布时间：2019-10-24
Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In(2)O(3) magnetic semiconductor
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