所属单位：物理学院
论文名称：Electrical control of memristance and magnetoresistance in oxide magnetic tunnel junctions
发表刊物：NANOSCALE
全部作者：田玉峰,康仕寿,陈延学,刘国磊,梅良模,颜世申
第一作者：田玉峰
论文编号：lw-168573
卷号：7
页面范围：6334
字数：3
是否译文：否
发表时间：2015-03-04
陈延学教授
山东大学物理学院教授，博士生导师。2002年毕业于山东大学，获理学博士学位。2003年至今在山东大学物理学院工作。2007-2008年在美国波特兰州立大学电镜中心访学。 目前研究领域主要： 1. 功能氧化物外延薄膜制备与性能研究； 2. 金属/半导体中的自旋注入与输运过程研究； 3. 氧化物磁性半导体研究 4. 纳米结构太阳能电池及光电探测器制备研究。 主持国家和省部级科研项目多项。指导的本科创新团队发表科研论文十余篇，多人参加“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛并... More+
Electrical control of memristance and magnetoresistance in oxide magnetic tunnel junctions
发布时间：2019-10-25|点击次数：