Solid-State Optoelectronic Synapse Transistor Using a LaF3 Gate Dielectric

发布时间:2022-12-24|点击次数:

所属单位:物理学院

论文名称:Solid-State Optoelectronic Synapse Transistor Using a LaF3 Gate Dielectric

发表刊物:Physica Status Solidi - Rapid Research Letters

第一作者:石鹏

论文编号:C8FB575592E44556ABC1B2E681D0D14B

期号:16

字数:5

是否译文:否

发表时间:2022-08-18