专利名称：磁性增强的H掺杂MNXGE1-X磁性半导体薄膜
所属单位：物理学院
专利类型：发明
申请号：200810014729.9
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2008-03-07
公开日期：2010-06-09
授权日期：2010-06-09
发布时间：2019-04-16
磁性增强的H掺杂MNXGE1-X磁性半导体薄膜
发布时间：2019-04-16| 点击次数：
专利名称：磁性增强的H掺杂MNXGE1-X磁性半导体薄膜
所属单位：物理学院
专利类型：发明
申请号：200810014729.9
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2008-03-07
公开日期：2010-06-09
授权日期：2010-06-09
发布时间：2019-04-16