磁性增强的H掺杂MNXGE1-X磁性半导体薄膜

发布时间:2019-04-16|点击次数:

所属单位:物理学院

申请专利人:颜世申,刘国磊,梅良模,陈延学

专利类型:发明

申请号:200810014729.9

发明人数:4

是否职务专利:否

申请日期:2008-03-07

公开日期:2010-06-09

授权日期:2010-06-09