标题：
Lateral scaling and positioning effects of top-gate electrodes on single-molecule field-effect transistors
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所属单位：
物理学院
论文名称：
Lateral scaling and positioning effects of top-gate electrodes on single-molecule field-effect transistors
发表刊物：
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER Journal
第一作者：
Xu, Yuqing
全部作者：
房常峰,崔彬,刘德胜
论文编号：
226A6AEDD4954C44A9F7CE57F3135830
卷号：
31
期号：
28
字数：
800
是否译文：
否
发表时间：
2019-07
发布时间：
2019-10-26
学位：博士生
职称：副研究员
所在单位：物理学院