论文成果
Electron-Injection and Atomic-Interface Engineering toward Stabilized Defected 1T- Rich MoS 2 as High Rate Anode for Sodium Storage
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所属单位:晶体材料研究院
发表刊物:ACS nano
第一作者:廉刚
论文编号:ECB85CAF923C49EC826C28C22CAB6A41
期号:16
字数:3700
是否译文:
发表时间:2022-08-11

崔得良

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校: 吉林大学

学历: 研究生(博士后)

学位: 博士生

在职信息: 在职

所在单位: 晶体材料研究院

入职时间: 1996-02-01

办公地点: 功能晶体材料楼306

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