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Electron-Injection and Atomic-Interface Engineering toward Stabilized Defected 1T-Rich MoS2as High Rate Anode for Sodium Storage: 点击次数：; 所属单位：化学与化工学院; 发表刊物：ACS nano; 第一作者：孙军威; 论文编号：1574962444288610306; 卷号：16; 期号：8; 页面范围：12425-12436; 字数：7; 是否译文：否; 发表时间：2022-08-23

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