专利名称：高抗扰SiC MOSFET驱动电路及工作方法
所属单位：控制科学与工程学院
专利类型：发明
申请号：202010059526.2
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2020-01-19
公开日期：2021-07-13
授权日期：2021-07-13
发布时间：2021-09-19
高抗扰SiC MOSFET驱动电路及工作方法
发布时间：2021-09-19| 点击次数：
专利名称：高抗扰SiC MOSFET驱动电路及工作方法
所属单位：控制科学与工程学院
专利类型：发明
申请号：202010059526.2
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2020-01-19
公开日期：2021-07-13
授权日期：2021-07-13
发布时间：2021-09-19