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方腾
副教授
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机电与信息工程学院
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Validity of Rigid Band Approximation in the Study of Thermoelectric Properties of P-type FeNbSb-based Half-Heusler Compounds
发表刊物:
Journal of Electronic Materials
论文类型:
期刊论文
卷号:
46
页面范围:
3030-3035
是否译文:
否
发表时间:
2017-05-01
收录刊物:
SCI
上一条:
Band Structures and Transport Properties of High-Performance Half-Heusler Thermoelectric Materials by First Principles
下一条:
Computational Prediction of High Thermoelectric Performance in P-type Half-Heusler Compounds with Low Band Effective Mass
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