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Zn2GeO4-x/ZnS heterojunctions fabricated via in situ etching sulfurization for Pt-free photocatalytic hydrogen evolution: interface roughness and defect engineering

发布时间：2021-06-02 | 点击次数：

所属单位：化学与化工学院

论文名称：Zn2GeO4-x/ZnS heterojunctions fabricated via in situ etching sulfurization for Pt-free photocatalytic hydrogen evolution: interface roughness and defect engineering

发表刊物：Phys. Chem. Chem. Phys。

第一作者：王永丽

论文编号：BC1038249B1042AEB481AE0A62BE5A7E

卷号：22

期号：18

页面范围：10265

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2020-05

上一条：Amorphous TiO(2)as a multifunctional interlayer for boosting the efficiency and stability of the CdS/cobaloxime hybrid system for photocatalytic hydrogen production

下一条：Amorphous TiO2 as a multifunctional interlayer for boosting the efficiency and stability of the CdS/cobaloxime hybrid system for photocatalytic hydrogen production.

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