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高凤
副研究员
所属院部：
信息科学与工程学院
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论文成果
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Enhanced bandwidth of a lateral-pin Ge/Si avalanche photodiode using inductive gain peaking
所属单位：
信息科学与工程学院
发表刊物：
Optics and Laser Technology
第一作者：
王一铭
论文编号：
A35EFF714A4C48AEA9B5D2B5961F949C
期号：
1
是否译文：
否
发表时间：
2024-04-01
上一条：
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