高凤
副教授
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Enhanced bandwidth of a lateral-pin Ge/Si avalanche photodiode using inductive gain peaking
发布时间：2024-02-01
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 论文名称：
    Enhanced bandwidth of a lateral-pin Ge/Si avalanche photodiode using inductive gain peaking
  • 发表刊物：
    Optics and Laser Technology
  • 第一作者：
    王一铭
  • 论文编号：
    A35EFF714A4C48AEA9B5D2B5961F949C
  • 期号：
    1
  • 页面范围：
    110445
  • 字数：
    4
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2024-04
  • 发布时间：
    2024-02-01
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