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蒿天衢

副教授 同专业硕导

性别:男

在职信息:在职

所在单位:电气工程学院

入职时间:2017-03-20

学术荣誉:

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Two-Layer Global Synchronous Pulse Width Modulation Method for Attenuating Circulating Leakage Current in PV Station

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所属单位:学科建设与发展规划部

发表刊物:IEEE Transactions on Industrial Electronics

全部作者:高峰,蒿天衢,张承慧

第一作者:许涛

论文编号:C3D556438EEC4F9794FF0D1743A8EBD0

卷号:65

期号:10

页面范围:8005

是否译文:

发表时间:2018-10-01

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