Diode-pumped passively Q-switched Nd:(LuxGd1-x)3Ga5O12 laser at 1330 nm with V3+:YAG as saturable absorber
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所属单位：晶体材料研究所
发表刊物：IEEE Photonics Technology Letters
全部作者：刘凤芹
第一作者：何京良
论文类型：基础研究
论文编号：lw-136120
卷号：24
页面范围：146
是否译文：否
发表时间：2012-06-01