个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

个人信息 Personal information

在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院 入职时间:2005-10-27

Development of longer Nd:LGGG crystal for high power laser application

点击次数: 所属单位:晶体材料研究所 发表刊物:Journal of crystal growth 全部作者:张健,张百涛,贾志泰,何京良,陶绪堂 第一作者:尹延如 论文类型:应用研究 论文编号:854307BCEA6C46D18D063BEFD71BEFD8 卷号: 478 页面范围:28 是否译文: 发表时间:2017-11-15